15:46
Москва
21 января ‘18, Воскресенье

IBM представила 7-нанометровый чип

Опубликовано
Текст:
Понравилось?
Поделитесь с друзьями!

IBM объявила о важном достижении в области разработки новейшей полупроводниковой продукции и представила первый тестовый чип, выполненный по 7-нанометрововй технологии с функциональными транзисторами.

Новый чип разработан IBM в сотрудничестве с GLOBALFOUNDRIES, Samsung и STMicroelectronics на территории Центра исследования нанотехнологий Политехнического института при Университете штата Нью-Йорк. Технология позволит размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 20 млрд транзисторов и использовать их во множестве разных устройств: от смартфонов до космических кораблей.

Для создания чипа по 7-нанометровой технологии с более высокими показателями производительности, низким энергопотреблением и улучшенным масштабированием исследователям IBM пришлось отказаться от традиционных методов производства полупроводниковой техники. Разработка наночипа потребовала использования ряда передовых инноваций, например, кремний-германиевых (SiGe) канальных транзисторов и многоуровневой экстремальной ультрафиолетовой (ЭУФ) литографии, которые были впервые применены исследовательским центром IBM Research совместно с партнерами.

Эксперты полупроводниковой промышленности считают создание и внедрение нового поколения чипов, выполненных по 7-нанометровой технологии, обязательным условием развития будущих систем облачных и когнитивных вычислений, обработки больших данных, мобильных решений и других передовых технологий.

Сегодня микропроцессоры, изготовленные по 22-нм и 14-нм технологии, используются в серверах, облачных ЦОДах и мобильных устройствах. Кроме того, постепенно осваивается и внедряется производство чипов по нормам 10-нм технопроцесса. IBM удалось достичь увеличения плотности размещения элементов по отношению к самому передовому сегодня 10-нм технологическому процессу почти на 50%. Такой результат получен за счет применения кремний-германиевых материалов для увеличения производительности транзисторов, а также за счет внедрения технологических новшеств для уменьшения шага между элементами до 30-нм и полной интеграции многоуровневой экстремальной ультрафиолетовой литографии. Эти достижения способны привести как минимум к 50% улучшению соотношения производительности к энергопотреблению в следующих поколениях систем, предназначенных для обработки больших данных, облачных и мобильных вычислений.

Реклама


Мы рекомендуем

21.01.2018, 12:31
Российская фигуристка Алина Загитова выиграла золото в одиночном катании на чемпионате Европы в Москве (Россия).
19.01.2018, 20:20
Петербургский хоккейный клуб СКА стал обладателем Кубка Континента им. В.В. Тихонова, вручаемого лучшей команде Континентальной хоккейной лиги.

Реклама