Разрешите сайту отправлять вам актуальную информацию.

18:20
Москва
19 апреля ‘24, Пятница

Трехмерные транзисторы — новая эра компьютеров

Опубликовано
Текст:
Понравилось?
Поделитесь с друзьями!

Многие аналитики уверены, что будущее компьютерного рынка зависит не от кремниевых процессоров, а от более новых технологий, к примеру, трехмерных транзисторов. Ученые с ними согласны, и уже сейчас ведется активная работа в данном направлении.

Трехмерные транзисторы, считают профессора американских университетов Гарварда и Пердью, в скором будущем полностью заменят кремний, обладая куда более выдающимися характеристиками. Они создаются на основе элементов, входящих в третью и пятую группы таблицы Менделеева. Такой выбор объясняется тем, что элементы из этих групп обеспечивают очень быстрый поток электронов. Это открытие продвинуло ученых на пути к созданию новых видов компьютерных чипов, благодаря которым все устройства на их основе станут значительно производительнее и смогут похвастаться большей энергоэффективностью и меньшим весом.

Ученые уже приводят конкретные примеры сравнения трехмерных транзисторов на основе элементов III-V (третья и пятая группы) с кремниевыми чипами. По их словам, 22-нанометровая технология, на которую уже перешла компания Intel — это практически предел для кремния, и в дальнейшем при переходе на другие, более современные нормы, в любом случае потребуется использование других материалов. Компания Intel пока никак не комментирует данное заявление, однако известно, что в ее лабораториях уже проходит тестирование чипов, созданных по 14-нанометровой технологии.

Элементы III-V предлагают куда более современный подход — 10-нанометровый техпроцесс, и в этом, по мнению исследователей, их очевидное преимущество перед кремнием. Ученые, работающие над всеми этими технологиями, раскрыли один из секретов: их новые трехмерные транзисторы, вернее, нанотрубки, пронизывающие их, выполнены из сплава индия, галлия и арсенида (InGaAs). По размерам такие транзисторы значительно меньше тех, что используются в кремниевых процессорах, за счет более тонкого слоя оксида алюминия. Это позволит монтировать большее количество таких транзисторов на единицу площади, плюс меньший размер приведет к снижению уровня потребления энергии и выделяемого тепла.

Разработчики также сказали, что даже современный уровень развития техники позволяет производить 3D-транзисторы из индия, галлия и арсенида, поэтому они уверены, что будущее именно за ними.

Реклама