Тайваньские исследователи из компании Macronix создали флеш-память, которая способна противостоять процессу износа. Об этом сообщает IEEE Spectrum.
Разработка основана на способности ячеек памяти восстанавливаться при наличии высоких температур. Специалисты решили подвергнуть ячейки сильному нагреванию (до 800°С) на несколько миллисекунд. По словам исследователей, после проведения данной процедуры количество циклов перезаписи чипов флеш-памяти MLC NAND увеличится до 100 млн с отметки в 10 тыс.«Нагреватели» были расположены прямо на схеме так, чтобы каждый охватывал небольшую группу ячеек. В действие вышеупомянутые «нагреватели» будут вводиться по очереди. Устройство, где задействована плата (к примеру, смартфон), необходимо подключить к источнику питания, но оно должно быть в неактивном состоянии. Исследователи собираются сообщить о своей разработке более подробно на конференции IEDM, проведение которой запланировано на 10-12 декабря в Сан-Франциско.
Флеш-память применяется в мобильных устройствах, USB-носителях и SSD-дисках. Для продления срока ее службы существует много методов, один из которых носит название «Wear Levelling» (в переводе с английского «Нивелирование износа»). Метод подразумевает использование сегментов памяти по очереди, в отличие от постоянной работы с одними и теми же ячейками.
